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14nm的芯片需要使用10nm或更小的光刻机进行制造。
光刻技术是制造芯片中非常重要的步骤之一，用于将电路图案投射到硅片上的光敏材料上。该技术决定了芯片的最小特征尺寸，即制造工艺的纳米等级。因此，芯片的制造工艺（如14nm或10nm）决定了所需的最小特征尺寸，也决定了所需要的光刻机的分辨率。
在14nm工艺中，光刻机通常需要具备10nm或更小的分辨率能力。这意味着光刻机可以将图案投射到硅片上，并实现10nm或更小的线宽。
值得注意的是，光刻技术在芯片制造中是非常关键和复杂的一环，不仅仅涉及光刻机的分辨率，还包括掩膜制作、曝光方式、光源等多个方面。因此，在芯片制造的不同工艺节点下，光刻机的技术也在不断发展和更新，以适应更小尺寸的特征和更高的精度要求。
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