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3纳米不是极限，目前芯片的制造已达到3纳米，但并不是不能再做小。光刻机的技术也在不断进步，芯片的制造，除了光刻，还有蚀刻等技术。
其中蚀刻液的物理特性限制了芯片最小线距，而光刻胶材料、光刻光源、掩模版等成本也随着工艺难度提升而升高。
当接近分子级别时，量子效应可能开始影响晶体管的行为，栅极距离越小，量子遂穿效应越明显，栅极对沟道控制能力会随尺寸缩小而减弱。
同时芯片制造过程中还会遇到各种各样的工艺问题，比如缺陷、沾污、线边缘粗糙等，这些都会影响良率。此外，除了要面对技术难题外，高昂的研发投入和制造成本也是芯片厂商必须要考虑的问题。
3nm不是极限，美国1nm的芯片已经研发出来了，可能1nm才是极限。
1纳米芯片之所以被认为是微电子技术的极限,是因为在这个尺寸下,由于物理限制的存在,制造难度非常大。在1纳米以下的尺寸下,电子的行为变得越来越难以预测和控制,这会导致制造过程中出现许多问题,如漏电流、热失控等。
此外,1纳米以下的尺寸下,电子的运动速度非常快,需要使用极高的能量来加速它们,这也会增加制造成本和难度。
因为万物都是有极限的，3nm被公认为已经达到了摩尔定律的物理极限。摩尔定律是英特尔创始人之一戈登摩尔的经验之谈，其核心内容为集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。换言之，处理器的性能每隔两年翻一倍。
万物都是有极限的，芯片也不例外啊。3nm被公认为已经达到了摩尔定律的物理极限
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