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最高精度的芯片是3纳米。
目前全球能量产的芯片是5纳米，但三星和台积电的3纳米芯片已经流片，预计明年厂房建设完毕后能够进入量产。
三星3纳米采用GAA架构实现了栅极对通道之间的四面环绕，被广泛认为是FinFET的继任者。而台积电3纳米自然采用5纳米鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，研发进度超前。
3纳米
目前全球最高端的光刻机是荷兰阿斯麦尔生产的，该类光刻机最大的两个使用客户是台积电和三星。而台积电和三星都已经有制造3纳米芯片的能力，已经实现流片，像高通英特尔均已下了订单，预计明年量产。
目前，芯片制造技术已经发展到了纳米级别。最先进的芯片制造工艺已经达到了7纳米（nm）的精度。这意味着芯片上的晶体管和其他元件可以被制造到非常小的尺寸，从而实现更高的集成度和更快的运算速度。
随着技术的不断进步，未来可能会出现更小尺寸的芯片制造工艺，如5纳米甚至更小的精度。这将为计算机和电子设备的性能提供更大的提升空间。
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