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4G射频芯片的制造工艺一般是使用28纳米（nm）或者更小的工艺。这是因为4G射频芯片需要实现高速数据传输、低功耗和小尺寸等要求，而采用更小的制造工艺可以提高芯片的性能和集成度，从而满足这些要求。目前，一些主流的4G射频芯片厂商已经开始使用更小的制造工艺，如14纳米和10纳米等，以进一步提高芯片的性能和功耗表现。
-T628GPU,整合基带支持五模TD-LTE/FDD-LTE/TD-SCDMA/WCDMA/GSM五模(电信再次悲剧),具备“4G+28nm”的特性,是国内第一颗商用28nm 4G芯片。
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