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七纳米和八纳米芯片的差别：沟道长度不同、单位密度不同、功耗不同。一、沟道长度不同1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要短。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要长。
二、单位密度不同1、三星8nm工艺：三星8nm工艺所能达到的单位密度比台积电7nm工艺所能达到的单位密度要高。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺所能达到的单位密度比三星8nm工艺所能达到的单位密度要低。三、功耗不同1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片功耗比台积电7nm工艺的芯片功耗要高。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片功耗比三星8nm工艺的芯片功耗要低。
芯片的纳米数是制造芯片的制程，或指晶体管电路的尺寸，单位为纳米（daonm）。闪存芯片是快闪存储器（闪存）的主要部件，主要分为NOR型和NAND型两大类。在一般的U盘和手机之类的产品中都可以见到，而mp3、MP4中的闪存芯片则为SLC与MLC的居多。
芯片内部的存储单元阵列为(256M+8.192M)bit×8bit,数据寄存器和缓冲存储器均为(2k+64)bit×8bit。
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