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型号 海力士ddr4 8G 2666
类型 260-Pin DDR4 SDRAM
性能方面，第三代 4D NAND 技术可提升单元读取速度和数据传输速率，此外 176 层 NAND 闪存芯片采用了 2 分区单元阵列选择技术。
其原理是将存储单元分成了两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术（确保数据调用请求能够快速响应），第三代 4D NAND 还可将传输速率提升 33% 。
