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芯片光刻的过程原理还是有难度的。
光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
光刻技术的基本原理
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是：
1、涂布光致抗蚀剂；
2、套准掩模板并曝光；
3、用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；
4、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；
5、去除已感光的光致抗蚀剂层。
光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证：
其一是大面积均匀曝光，在同一块硅片上同时做出大量器件和芯片，保证了批量化的生产水平；
其二是图形线宽不断缩小，使用权集成度不断提高，生产成本持续下降；
其三，由于线宽的缩小，器件的运行速度越来越快，使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高，光刻技术所面临的困难也越来越多。
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