扫码或点击进入无线充模块店铺
igbt芯片的制造工艺流程:
1.预精研磨:洗涤并清洁原料晶圆,研磨去除表面污染。
2.晶圆熔断:把原料晶圆分成许多小片,以便更好的熔断制成合适的尺寸。
3.涂覆厚膜:涂覆厚度精确的膜,控制层厚度和外观。
4.腐蚀:进行钝化腐蚀,去除多余的膜层。
5.光刻:在晶圆表面腐蚀出特定形状和图案。
6.镀金:在晶圆表面补充薄膜,以提高其导电性能。
7.烧录:在晶圆上烧录电路,完成最终电路设计。
8.测试:对晶圆进行性能测试和检测。
9.封装:将晶圆封装,使之成为可用的集成电路产品。
扫码或点击进入无线充模块店铺