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逻辑芯片又叫可编程逻辑器件，英文 PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的，他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高，足以满足设计一般的数字系统的需要。
存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。
逻辑芯片和存储芯片的区别
逻辑芯片的工艺目前还在20nm左右，比如Intel的CPU，而存储芯片都已逼近10nm，比如闪存，到底2者有何不同？
1） 差异：两种芯片工艺的不同主要是由两种芯片的核心部件-晶体管的结构/工作模式的差异造成，可参考半导体器件相关的书籍和论文。
2） 尺寸：从gate length这个指标来看，你说的没错，2D NAND Flash的uncontacted poly的half pitch目前已经优于14/16nm FINFET的Lg。根据ITRS 2015数据，前者为15nm，后者为24nm。[1]
3） 命名：但需要说明的是，半导体工业界对逻辑产品（MPU/ASIC）和非挥发存储器(Flash)的工艺节点（technology node）的命名是不同的。在相当长1段时间内，前者用的是contacted metal line的half pitch，后者用的是uncontacted poly（floating gate）的half pitch。前者的physical Lg实际上比节点数字更小，而后者中的SL/BL的Lg比节点数字更大。[2]
4） 新结构：然而3）中的定义方式随着近几年新型器件的步入市场也发生了变化，如FINFET和3D NAND。以2）中所举例的14/16nm FINFET工艺为例，其contacted metal line的half pitch为2⑧nm，而非标称的14/16nm。而3D NAND的节点命名已改为minimum array half pitch，约为⑧0nm。[1]
5） 估算：由于标称节点数字与实际工艺参数之间的差异，以及各家公司的命名也存在差异，易造成混乱，于是ASML给出了1个估算式，可以根据各家公司的实际工艺参数推算出1个与标称节点数字相近的数字，目前为业界所普遍采用。[3]
6） 先进度：目前，两种芯片的结构存在较大差异，且各自有各自的评价方式，所以并不好说谁的工艺技术更先进，只能说分别在自己的道路上追求更加极致的性能。
储存特别dram，越往下做越难。首先是工艺的限制，量产的工艺有多小就能用多小。但是储存芯片不行，电容得大，sa这些东西得准。小不是最重要的。
其次逻辑芯片集成度相对来说更低，同样情况下产量肯定更高。
第三就是逻辑芯片的犯错空间比较大，小和快就够了，储存吃准确度，工艺做得到设计不一定敢这么做。
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