扫码或点击进入无线充模块店铺
1、威廉，肖克莱(William Shockley)
1910年2月13日生于英国伦敦。美国物理学家，美国艺术与科学学院、电气与电子工程师协会高级会员。
2、约翰?巴丁（John Bardeen）
1908年5月23日，巴丁出生于威斯康星州麦迪逊城。巴丁的研究领域包括半导体器件、超导电性和复制技术。
3、沃尔特?布拉顿(Walter Houser Brattain)
1902年2月10日生于中国厦门市。美国物理学家,美国科学院院士。曾获巴伦坦奖章、约翰?斯可特奖章。布拉顿长期从事半导体物理学研究，发现半导体自由表面上的光电效应。
4、杰克?基尔比(Jack Kilby)
1923年生于美国密苏里州杰弗逊城。1958年9月12日，基尔比发明的微芯片成功地进行了演示，这是世界上第一块集成电路。
5、罗伯特?诺伊斯(Robert Noyce)
1927年12月，罗伯特?诺伊斯生于美国爱荷华州。他与同伴自行创办了仙童半导体公司，他担任总经理一职。肖克莱称他们为“八个天才的叛逆”。1968年8月，诺伊斯与戈登创办了著名的英特尔（Intel）公司，诺伊斯出任总经理。1970年，Intel推出世界上第一款DRAM（动态随机存储器）集成电路1103，实现了开门红。1971年，推出世界上第一款微处理器4004，揭开了基于微处理器的微型计算机的序幕。此后，Intel凭借技术创新的优势，成为全球最大的半导体厂商。
6、戈登?摩尔(Gordon Moore)
1929年1月3日生于旧金山佩斯卡迪诺，美国科学家，企业家，1965年，摩尔提出“摩尔定律”。1968年，摩尔和诺伊斯一起退出仙童公司，创办了Intel。他的定律不仅把英特尔带到了产业的顶峰，也指引着多年来IT产业的发展。
7、琼?霍尔尼(Jean Hoerni)
1924年生于瑞士，为“八个叛逆者”之一。1959年，他发明了平面工艺的一种叫做光学蚀刻的处理方法。霍尔尼创造了一个光罩，它就像一张底片，上面有一簇小孔，用来过滤掉不清洁的东西，然后让它在光线中翻动。在化学洗涤之后，金属板上只要是留下光阻剂的地方，杂质就不会散落到下面，以此来解决平面晶体管的可靠性问题，因而使半导体生产发生了革命性的变化，堪称“20世纪意义最重大的成就之一”，并且奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位。
8、弗兰克·威纳尔斯（Frank M.Wanlass）
他曾获得美国盐湖城犹他大学的博士学位，在1963年的固态电路大会上，他提交了一份与Sah合著的关于CMOS的构想报告，同时还用了一些实验数据对CMOS技术进行了大概的解释，同时，关于CMOS的主要特征也基本确定：“静态电源功率密度低；工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。”简而言之，CMOS的最大特征就是低功耗。而今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。
9、张忠谋
1931年生于浙江。27岁那年，作为麻省理工学院毕业的硕士生，他与半导体开山鼻祖、英特尔公司创办人摩尔同时踏入半导体业，与集成电路发明人杰克?基尔比同时进入美国德州仪器公司。1972年，先后就任德州仪器公司副总裁和资深副总裁，是最早进入美国大型公司最高管理层的华人。1987年，创建了全球第一家专业代工公司——台湾积体电路制造股份有限公司（简称“台积电”）。 因在半导体业的突出贡献，他被美国媒体评为半导体业50年历史上最有贡献人士之一和全球最佳经理人之一。台湾人则尊他为“半导体教父”，因为是他开创了半导体专业代工的先河。
10、邓中翰
中星微集团创建人、董事长，“星光中国芯工程”总指挥。美国加州大学伯克利分校电子工程学博士、经济管理学硕士、物理学硕士。他是该校建校130年来第一位横跨理、工、商三学科的学者。1997年，邓中翰加入IBM公司，做高级研究员,负责超大规模CMOS集成电路设计研究，并申请多项发明专利，获“IBM发明创造奖”。一年后，邓中翰离开IBM回到硅谷，结合硅谷著名的风险投资基金，创建了集成电路公司PIXIM，INC.，市值很快达到了1.5亿美元。后在国家信息产业部的倡议下，邓中翰决定在国内组建中国本土的芯片设计公司。1999年10月，在中关村注册成立了“中星微电子有限公司”。 2001年3月11日，中星微“星光一号”研发成功。这是中国首枚具有自主知识产权、百万门级超大规模的数字多媒体芯片，同时结束了“中国硅谷”中关村无硅的历史。2001年5月，“星光一号”实现产业化。
1、威廉 肖克莱(William Shockley)
1910年2月13日生于英国伦敦。美国物理学家，美国艺术与科学学院、电气与电子工程师协会高级会员。
2、约翰 巴丁（John Bardeen）
1908年5月23日，巴丁出生于威斯康星州麦迪逊城。巴丁的研究领域包括半导体器件、超导电性和复制技术。
扫码或点击进入无线充模块店铺