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1、【例2】 试用两片3线-8线译码器74LS138组成4线-16线译码器，将输入的4位二进制代码译成16个独立的低电平信号。解2716芯片容量：由图8可见，74LS138仅有3个地址输入端。如果想对4位二进制代码，只能利用一个附加控制端（当中的一个）作为第四个地址输入端。
2、的寻址范围是0~8192，74LS138是三八线译码器，分选4片2864，若取前4位译码输出，个芯片的地址空间（假设偏移地址为0x0000）为2716芯片容量：0x0000~0x1FFF2716芯片容量；0x2000~0x3FFF2716芯片容量；0x4000~0x5FFF；0x6000~0x7FFF。
3、利用 EE2和E3可级联扩展成 24 线译码器；若外接一个反相器还可级联扩展成 32 线译码器。若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器。可用在8086的译码电路中，扩展内存。
4、上面的两式表明2716芯片容量了第1片74LS138工作而第2片74LS138禁止时，将的0000～0111这8个代码译成8个低电平信号；第2片74LS138工作而第1片74LS138禁止时，将的1000～1111这8个代码译成8个低电平信号。
1、连接RAM与CPU，需要精心设计地址线、数据线和控制线的交互。这涉及CPU总线的负载管理，以及存储速度与时序的同步，还包括地址分配和选片策略，以及控制信号的精确传输。存储器的多样性和灵活性 从只读的掩膜ROM到可编程PROM，再到擦除性存储器如EPROM和E^2PROM，它们各具特色，满足不同场景的需求。
2、A要寻址4KB的范围就要12根线，A0~A11就与CPU的A0~A11相连，用来ROM内的寻址。CPU的A12~A14与38译码器连，用来产生片选信号。
3、EPROM是用电信号编程而用紫外线擦除的只读存储器芯片。在芯片外壳上方的中央有一个圆形窗口，通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有的信息。由于阳光中有紫外线的成分，所以程序写好后要用不透明的标签封窗口，以避免因阳光照射而破坏程序。
4、根据工作原理的不同，目前主流处理器所采用的一级数据缓存又可以分为实数据读写缓存和数据代码指令追踪缓存2种，它们分别被AMD和Intel所采用。不同的一级数据缓存设计对于二级缓存容量的需求也各不相同，下面让我们简单了解一下这两种一级数据缓存设计的不同之处。
1、【答案】2716芯片容量：常用EPROM芯片有2712732762712272527512，其中27是EPROM芯片2716芯片容量的代号，后2位数字代表EPROM的存储容量。例如2764的64代表64Kb （bit，位）。按字节计算，每字节8位，2764的存储容量为8K×8位，即8KB（Byte，字节）。
2、如果是需要烧写的软件代码较长，片内程序存储器空间有限，应该扩展外部ROM（程序存储器），最大可扩展到64k 字节，常用的芯片有2764，27128，27256，27512等，它们的存储空间分别为8k，16k，32k，64k 字节。
3、ROM芯片：（27-EPROM）2716（2K×8）、2732（4K×8）、2764（8K×8）、27128（16K×8）、27256（32K×8）、27512（64K×8）等。（28-EEPROM）：2816（2K×8）、2864（8K×8）。RAM芯片：6116（2K×8位）、6264（8K×8位）、62256（32K×8位）。
4、如“ 27512 15V ”，即表示这个 EPORM 的容量是 64KB ，写入电压为 15V 。我们在向 EPROM 中写入数据时，一定要注意这两上参数，容量选择不对时，容量使写入数据丢失或者写不上内容；写入电压选择过低时，则不能向 EPROM 中写入数据；写入电压选择过高时，则有可能损坏 EPROM 。
1、位扩展是指存储芯片2716芯片容量的字（单元）数满足要求而位数不够2716芯片容量，需对每个存储单元的位数进行扩展。例： 用 1K × 4 的 2114 芯片构成 lK × 8 的存储器系统。分析： 每个芯片的容量为 1K 2716芯片容量，满足存储器系统的容量要求。
2、这个是微机原理的题--存储器扩展。2114是1K*4位2716芯片容量，扩展到16K*8位。要同时进行字扩展和位扩展。先进行位扩展：将两块2114并联使用，组成了1k*8位 再进行字扩展：将并联的两块2114组成的芯片组进行字扩展 这样就完成了扩展过程。
3、片选信号可通个一个2-4译码器接到A10-A11，地址范围就是00000-00FFF了。 答案补充 这是微机原理与接口技术这门课上必考的知识点，存储器的扩展。 答案补充 呵呵，2716芯片容量你可以好好下来看看书，这一部分还是相当重要的。
4、ROM容量4K，地址范围0-FFF，RAM1K ，地址范围0-3FF，如果将400H（1K）看作一页（逻辑上），ROM占4页，RAM占1页，则每页所需10位描述，页码则需要2位描述，合起来需要12位。页码：页空间 xx：xx-xxxxxxxx 其中高2位页码对应高位地址全译码给ROM选片信号。
5、K*1位的芯片表示这个芯片有1024个单元，每个单元一位二进制位，因为2^10=1024，所以为了区分这1024个单元就需要10根地址线。一片芯片提供1K的空间，32K就要32片啦。这个系统的构成总共需要32*8=256片芯片，8片一组，一共32组。
6、位扩充：当使用的存储器芯片单元数目符合要求，但每单元的位数较少时，需要进行这种扩充。例如，使用4164（64K*1）扩充64KB存储系统，就需要进行位扩充。 连接示意图如下所示： 如图显示的是将两片64K*4芯片连接成64K*8的存储系统。
没太搞懂你的问题，16位的地址总线可以寻址64KB，假设只用到4K*8B，就只选一个2716 和两个2114。用A11~A13驱动74LS138，A1A15连接两个低电平使能端，这样Y0作为2716片选，A0-A10做其地址线；两个2114并用，作为8BitRAM，使能端并联接Y2，A0-A10作为地址线，这样工作区只用2KB。
固化区16k 读写区24k EPRAM 地址线13（2^13=8k） 数据线8 SRAM 16k*4 型 地址线14 数据线4 另一种地址线13 数据线4 固化区EPRAM要两芯片进行字扩展 读写区要SRAM 8k*4型的六片 先两两进行位扩展 然后将三组芯片进行字扩展。
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