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1、因为电子隧道效应的存在，公认的晶体管制程极限是5nm。根据量子力学计算，硅芯片中线宽低于10nm左右的时候，因此目前预计可能的线宽极限是1~10nm，不会低于一纳米。芯片商最关心的可能就是成本问题了，“摩尔定律的终结不是技术问题，而是经济问题。
2、制程工艺的提升，决定3D晶体管横面积大小。在不破坏硅原子本身的前提下，芯片制造目 前是有理论极限的，在0.5nm左右，因为本身硅原子之间也要保持一定的距离。制程工艺 就是通常我们所说的CPU的“制作工艺”，是指在生产CPU过程中，集成电路的精细度，也就是说精度越高，生产工艺越先进。
3、平时所讲5nm或者7nm说的是晶体管的宽度（也叫线宽）。芯片最底层的器件就是mos管，特征尺寸越小，制造出的mos管越小，这代表芯片的集成度越高，进而成本降低。在芯片占据相同面积的条件下，集成越高的芯片能够塞入更多的功能电路。
4、如果低于2nm，那就是行业要有革命性的发明和理论改进，这才可能做到更精细了。所以当工艺制程突破物理极限之后，再想寻求新的制造技术就不能单纯的从减小栅长上做文章了，毕竟已经小到了7nm，再加入各种其他辅助装置减少漏电问题也会得不偿失。
5、硅原子直径是5纳米，制程方面的进步已经很难了，改进制程的原因是可以降低成本，使单个晶圆生产更多的芯片。可以使用硅以外的材料，2006年IBM硅锗芯片运行速度达到500GHz，由于成本原因不能在民用领域普及。
6、nm发热那么厉害是因为制程工艺越先进，芯片上晶体管的直径就越小，能够集成晶体管的数量就越多，所以那么厉害。发热量就越大，当然性能也就越先进，而5纳米处理器已经是当前很先进的制程工艺了。所以集成的晶体管数量也就很多，这些晶体管工作起来的热量就很大。
1、nm芯片不是极限。1nm就是摩尔极限，也就是说，硅基芯片的极限精度理论上只能达到1nm，但由于自然环境的限制，其实际精度永远不可能达到1nm。制程越小，功耗越小，在实现相同功能的情况下，发热小，电池可使用的时间更长。这就是芯片制程越来越小的主要原因。
2、纳米（nm）芯片是目前半导体制造技术所能达到的最小尺寸，它代表着微电子技术的极限。1纳米芯片之所以被认为是微电子技术的极限，是因为在这个尺寸下，由于物理限制的存在，制造难度非常大。在1纳米以下的尺寸下，电子的行为变得越来越难以预测和控制，这会导致制造过程中出现许多问题，如漏电流、热失控等。
3、nm芯片是不是极限要看芯片行业的具体发展情况。一般来说，1nm芯片是极限。芯片的制造工艺就是将晶体管注入到硅基材料当中，晶体管越多性能越强，想要提升芯片的工艺，那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。
4、芯片的理论极限：硅晶体管的极限尺寸在1纳米左右，这就是单个晶体管器件的理论极限。 可能你在新闻里经常听到一个说法，摩尔定律快要失效了，这是什么意思？是说芯片技术快要到天花板了吗？ 想搞清楚这个问题，首先要明白芯片技术的理论极限在哪。
5、以现在的科技手段，五纳米的芯片已经是光刻。一纳米工艺，只有光刻才能达到这种水平，现阶段的科技手段应该是极限了。
1、所以当工艺制程突破物理极限之后芯片几纳米是极限，再想寻求新的制造技术就不能单纯的从减小栅长上做文章了芯片几纳米是极限，毕竟已经小到了7nm，再加入各种其芯片几纳米是极限他辅助装置减少漏电问题也会得不偿失。在这样的情况下，只能从材料上入手，通过改变材料从而改变特性，进而再有所突破。
2、因为 目前的芯片工作的模式还是经典逻辑电路。当制程小于5nm， 量子效应占主导地位。
3、纳米和7纳米的主要区别在于晶体管密度。前者每平方毫米晶体管数量超过7亿，比7nm高出80%。生硬的数字让人难以理解。简单来说，7nm可以容纳三个G76核心，现在可以容纳五个。另一个改进是性能和功耗的优化。
1、适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。那么，为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限。
2、在我看来，如果低于2nm，或者是发现到1nm的话，很可能到了极限了。很可能大家不再需求更加低的nm等级了，而是找另外的材料。但是目前来说，还没有比硅更好的、更加适应量产和使用的材料来做半导体。如果低于2nm，那就是行业要有革命性的发明和理论改进，这才可能做到更精细了。
3、nm工艺是芯片工艺上的物理极限，半导体效应晶管体的宽度。这个数值是芯片市场上面最为关键的指标，具体的数据值代表了每次不断的提升。
4、nm工艺的成功应用代表了中国半导体技术的崛起 7nm工艺上取得了突破性的进展，这也标志着中国半导体技术的崛起。在半导体领域，工艺的数字越小，代表着技术的先进程度越高。7nm及以下工艺是先进的半导体工艺，是实现高端智能手机SOC（片上系统）的技术门槛。
5、除此之外，与之相关的突破性架构和技术以及未来的规划逐一被披露。 在制程节点方面，帕特·基辛格宣布将会以每瓦性能作为关键指标来衡量工艺节点的演进，这是因为对于半导体产品来说，PPA（performance，power and area，性能、功耗、面积）是非常重要的指标。
CPU制程技术最小目前是10纳米。通常CPU指的是电脑端所用的芯片，最小制程以英特尔为代表，既酷睿12所采用的10纳米制程。而目前芯片行业的最小制程实际是手机端芯片，以可以量产的芯片来说，是韩国三星的为美国高通骁龙代工的骁龙8gen1芯片，采用的是4纳米工艺制程。
目前成熟的商用的只有14nm，往后就是7nm，再往后就难说了，太小了就有有电子隧道效应。
因此目前预计可能的线宽极限是1~10nm，不会低于一纳米。
IBM研究表示，目前最先进的技术能够制造10纳米芯片，但是利用矽锗制作电晶体通道和EUV光刻，能够缩小电晶体尺寸的一半，同时还能够提升50%的电路电力效率。然而，EUV对于震动特别敏感，制作过程非常精密，因此要量产将有难度，价格也会十分高昂。
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