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1、驱动芯片无线充mos选型的选择准则 当挑选驱动芯片时无线充mos选型，技术参数是决定性的。驱动电流应大于公式（7）所示的最低要求，功耗需覆盖计算功率，传输延迟一致性确保死区时间的一致性，绝缘电压要高于MOS管额定电压的两倍，共模瞬态抑制需能有效抵挡电路中的dV/dt冲击。
2、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。驱动电路IC的选择 驱动电路IC负责控制MOSFET管的开关状态。选择合适的驱动电路IC可以提高系统的稳定性和效率。
3、很多马达驱动器都集成无线充mos选型了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。
4、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。
5、驱动电路策略与保护为了优化MOSFET性能，驱动电路设计中要留意以下关键点：栅极电阻：适中的选择平衡开关速度和浪涌抑制，避免过小导致损坏或过大影响速度。上升时间Tg：通过调节电阻来调整开关速度。浪涌电压保护：齐纳二极管是防止静态电压过高的重要元件。
1、无线充电的方式有电磁感应式、磁共振、电场耦合式和无线电波传输等方式，手机的无线充电大多采用的是电磁感应原理。电磁感应式无线充电，当电源的电流通过线圈（无线充电器的送电线圈）会产生磁场，其他未通电的线圈（手机端的受电线圈）靠近该磁场就会产生电流，为手机充电。
2、无线充电发射端输入直流电压（DC Voltage）。直流电压通过功率全桥，在SW1和SW2点产生交流电压（AC Voltage），其实就是一个方波。方波加载在LC Tank两端产生一个交流电流（AC Current）。交流电流通过线圈产生磁场。接收端线圈感应到这个磁场，在接收端LC Tank产生交流电流（AC Current）。
3、根据武汉建设局的官员表示，在武汉的江汉路一共安装了60座这样能无线充电的路灯，每座路灯有两个可以无线充电的位置，而且还是大功率的无线充电，不少体验过的市民表示还不错，挺好用的，在路边充电也很方便，当然要小心手机被偷。
4、简单来说，手机可以通过无线充电器充电，然后通过无线反向充电，将手机作为电源，给另一个可以支持无线充电技术的设备进行无线充电，但缺点是充电功率比较小。无线充电技术起源于无线电能传输技术，分为大功率无线充电和小功率无线充电。
5、无线充电主要基于法拉第电磁感应原理，是指充电器与用电装置之间不用电线直接连接，而是通过磁场传递能量。无线充电可分为小功率无线充电和大功率无线充电两种方式，小功率无线充电常采用电磁感应式，如对手机充电方式。
总之，在选择MOSFET时，需要综合考虑各种影响效率的指标，如电压等级、导通电阻、栅极电荷、优值系数、额定电流和功率耗散等。只有在充分了解这些指标的基础上，才能确保MOSFET在缓启动和防反接等应用中发挥最佳性能。
电流参数：ID、IDM，关注脉冲电流能力。 温度限制：如TJ、TSTG，保证器件性能和寿命。 能量相关：如PD、EAS，反映器件的过载能力。 静态电特性和动态电特性中，如V（BR）DSS、VGS（th）、RDS（on）等，都是理解MOS管性能的关键。
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。考虑负载特性。
而MOS管可是达到了NS级的速度，所以150KHz频率以下的开关电源，这方面都不用太担心。耐压值单端电路得考虑最高输入电压值的2倍或以上，而半桥或全桥则是1倍或以上。电流（Icm）单端电路要按照平均导通电流的5倍或以上来选，而半桥则需要10倍或以上。
两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
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