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世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功三维晶体管，这项技术被称为“年度最重要技术”三维晶体管，3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%三维晶体管的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。
显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。结实可靠，比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。
dg23晶体管参数如下三维晶体管：最大耐压：60V。最大连续电流：10mA。最大功率：50mW该晶体管的高增益和低噪声使其适用于射频放大器和混频器等应用。
1、Facebook不是第一个社交网络，它建立在MySpace、Bebo成功的基础之上。但Facebook确实最好用的社交网络，很快它的规模超越了所有前辈，发展为全世界第一大社交媒体。Facebook的用户不限背景、国籍和年龄，任何人都可以通过它与别人交流。
2、冰箱的发明，使食物能够储存很长一段时间，人们可以长时间的能够吃上新鲜食品。 10，青蒿素的发明，挽救了非洲数百万人民的生命，这是中医药对人类世界的一份贡献！ 人类值得一说的伟大发明有很多，媒体上对此也有一些评选。选一个最伟大的发明是有难度的，因此通常会选几个。 我觉得下面这三个。
3、未来人类很有可能看到世界上最强壮的人和最强大的仿生胳膊进行较量。 美国《时代》周刊2008年10月27日评出“2008年度最佳发明”。从基因测试服务到大型强子对撞机，共有50项发明入选。其中，“个人DNA测试服务”荣登“最佳发明”之首。致力于保护环境、节约能源的发明在排行榜中的比重最大。
1、D三维晶体管，Intel于2011年5月6日宣布了所谓的“年度最重要技术”——世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”。晶体管是现代电子学的基石，而Intel此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是“重新发明了晶体管”。
2、世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功，这项技术被称为“年度最重要技术”，3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。
3、晶体管的发明主要要追溯到当时工程师利莲费尔德，这个工程师在当时就取得了有关晶体管的这个专利，但是由于当时科技发展水平很低，这种材料的制作也比较困难，于是晶体管就无法被制造出来。
4、晶体管技术的发展历程 早在1947年，贝尔实验室的三位科学家肖克利、巴丁和布拉顿发明了第一枚晶体管，这标志着半导体技术的诞生。在接下来的几十年里，随着半导体材料和工艺技术的不断改进，晶体管技术得到了飞速发展。晶体管的体积小、功耗低、可靠性高等优点，使得它成为取代真空管的理想选择。
5、官方介绍称，Bow IPU的变化是这颗芯片采用3D封装，晶体管的规模有所增加，算力和吞吐量均得到提升，其具有350 TeraFLOPS的人工智能计算的性能，是上代的4倍，吞吐量从45TB提高到了65TB。
6、形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。
三管，全称应为半导体三管，也称双型晶体管，晶体三管，是一种控制电流的半导体器件。
它说这种芯片可以帮助智能手机或笔记本电脑更快地运行45％，或者仅消耗以前最佳设计能耗的四分之一。制造新的晶体管不仅可以简单地在硅晶片上蚀刻芯片的特征，而且可以使它们彼此叠置。芯片制造商于2009年首先开始使用一种名为Fin FET的设计制造三维晶体管。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
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