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一、DC Sputtering原理：(适合导体材料的溅镀)
?
在真空溅镀舱中，打入Ar，电极加数KV的直流电，因而产生辉光放电。
辉光放电将产生Ar(?)电浆，电浆中?因阴极电位降而加速(阴极带负电荷)，冲撞target表面，使target表面粒子溅射，溅射粒子沉积于substrate上，形成薄膜。
如何计算到substrate的溅射粒子数目呢?假设溅射到substrate的溅镀粒子总量Q，则?
?: 常数， ?: target 的蒸发总量，P: 溅镀用气体压力，d: target到substrate的距离。
?
?:target离子电流，e:电子电荷量，s:溅镀速率，A:溅镀物原子量，N: ?一般来说，溅镀时的放电电流?，?为放电压，所以?，?取决于target。
?
所以溅镀于substrate的量正比于溅镀装置消耗电力(? )，反比于气体压力及target到substrate的距离。
二、RF Sputtering原理：(适合所有固体材料之溅镀)
?
如果target为绝缘体，则由于target表面带正电位(target接负电(阴极))，因而造成靶材表面与阳极的电位差消失，不会持续放电，无法产生辉光放电效应，所以若将直流供电改为RF电源，则绝缘体的target亦可维持辉光放电。
接RF电源后，电浆中电子移动度将大于离子移动度，target表面累积过剩电子，target表面直流偏压为负电位，如此即可溅镀。
为使电力充分导入放电，在高周波电源及电极间插入阻抗匹配电路。阻抗匹配电路与target电极间串联电容器，绝缘体target也会激起负电位偏压。此负电位约在高周波溅镀施加电压的峰值(实效值的 ?倍)。
Target在水冷时同时施加RF高电压，所以水冷配管要使用teflon等绝缘物，并用电阻高的冷却水，放电阻抗一般为1~10?，以将匹配电路整合成电源的50?。
假设溅镀装置流入target电流密度为?
?
C: 电浆与target间的静电容量， ?为target表面电位对时间的变化量。
Note: RF的频率不可过高，否则会不易对target供给电力。
?增加的话，则越容易产生溅镀。(也就是说在越短的时间内表面负电位增加越多的话，越容易溅镀，所以在RF供电频率容许范围内，增加RF频旅可增加成膜率)
溅镀，通常指的是磁控溅镀，属于高速低温溅镀法.
该工艺要求真空度在1×10-3Torr左右，即1.3×10-3Pa的真空状态充入惰性气体氩气（Ar），并在塑胶基材（阳极）和金属靶材（阴极）之间加上高压直流电，由于辉光放电（glow discharge）产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，沉积在塑胶基材上.
原理
以几十电子伏特或更高动能的荷电粒子轰击材料表面，使其溅射出进入气相，可用来刻蚀和镀膜。入射一个离子所溅射出的原子个数称为溅射产额（Yield）产额越高溅射速度越快，以Cu,Au,Ag等最高，Ti,Mo,Ta,W等最低。一般在0.1-10原子/离子。离子可以直流辉光放电（glow discharge）产生，在10-1—10 Pa真空度，在两极间加高压产生放电，正离子会轰击负电之靶材而溅射也靶材，而镀至被镀物上。
正常辉光放电（glow discharge）的电流密度与阴极物质与形状、气体种类压力等有关。溅镀时应尽可能维持其稳定。任何材料皆可溅射镀膜，即使高熔点材料也容易溅镀，但对非导体靶材须以射频（RF）或脉冲（pulse）溅射；且因导电性较差，溅镀功率及速度较低。金属溅镀功率可达10W/cm2，非金属<5W/cm2
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